Micron stellt 1β (1-Beta) DRAM Process Node, LPDDR5X-8500 Speicher vor
[ad_1] Micron hat am Dienstag seine angekündigt 1β (1-be)-Fertigungstechnologie der nächsten Generation für DRAM (öffnet in neuem Tab) (Dynamischer Direktzugriffsspeicher). Der neue Knoten wird es Micron ermöglichen, die Kosten seines DRAM zu senken und gleichzeitig die Energieeffizienz und Leistung zu steigern. 1β (1-beta) wird der letzte DRAM-Produktionsprozess des Unternehmens sein, der auf Deep-Ultraviolett-Lithographie (DUV) basiert … Weiterlesen